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1707695AS4C16M16S-6TIN imageAlliance Memory, Inc.

AS4C16M16S-6TIN

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Spécifications
  • Modèle de produit
    AS4C16M16S-6TIN
  • Fabricant / marque
    Alliance Memory, Inc.
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    AS4C16M16S-6TIN.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    12ns
  • Tension - Alimentation
    3 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    SDRAM
  • Package composant fournisseur
    54-TSOP II
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Autres noms
    1450-1001
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    256Mb (16M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-TSOP II
  • Fréquence d'horloge
    166MHz
  • Temps d'accès
    5.4ns

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Paiement
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AS4C16M16MSA-6BIN

AS4C16M16MSA-6BIN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C16M16S-7BCN

AS4C16M16S-7BCN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C16M16S-6BIN

AS4C16M16S-6BIN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C16M16MSA-6BINTR

AS4C16M16MSA-6BINTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C16M16MD1-6BIN

AS4C16M16MD1-6BIN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C16M16SA-6BINTR

AS4C16M16SA-6BINTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C16M16SA-6TAN

AS4C16M16SA-6TAN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C16M16S-6TAN

AS4C16M16S-6TAN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C16M16S-6TCNTR

AS4C16M16S-6TCNTR

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Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C16M16S-7BCNTR

AS4C16M16S-7BCNTR

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Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M16S-6TANTR

AS4C16M16S-6TANTR

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AS4C16M16SA-6BIN

AS4C16M16SA-6BIN

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Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M16MD1-6BINTR

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AS4C16M16SA-6BAN

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AS4C16M16S-6BINTR

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AS4C16M16S-7TCN

AS4C16M16S-7TCN

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AS4C16M16S-7TCNTR

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AS4C16M16S-6TINTR

AS4C16M16S-6TINTR

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AS4C16M16SA-6BANTR

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AS4C16M16S-6TCN

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