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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > AS4C1M16S-7TCN
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3984340AS4C1M16S-7TCN imageAlliance Memory, Inc.

AS4C1M16S-7TCN

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5031+
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Spécifications
  • Modèle de produit
    AS4C1M16S-7TCN
  • Fabricant / marque
    Alliance Memory, Inc.
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    AS4C1M16S-7TCN.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    2ns
  • Tension - Alimentation
    3 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    SDRAM
  • Package composant fournisseur
    50-TSOP II
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Autres noms
    1450-1004
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    16Mb (1M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    8 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 143MHz 5.4ns 50-TSOP II
  • Fréquence d'horloge
    143MHz
  • Temps d'accès
    5.4ns

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "AS4C1M16S-7TCN".
AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C256M16D3-12BCN

AS4C256M16D3-12BCN

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C256M16D3A-12BAN

AS4C256M16D3A-12BAN

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C256M16D3-12BANTR

AS4C256M16D3-12BANTR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C1G8MD3L-12BCNTR

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C1M16S-6TCN

AS4C1M16S-6TCN

La description: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C1G8MD3L-12BCN

AS4C1G8MD3L-12BCN

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C1M16S-6TIN

AS4C1M16S-6TIN

La description: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C256M16D3-12BINTR

AS4C256M16D3-12BINTR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C256M16D3A-12BCN

AS4C256M16D3A-12BCN

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C16M32MSA-6BIN

AS4C16M32MSA-6BIN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C256M16D3-12BIN

AS4C256M16D3-12BIN

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C1M16S-7TCNTR

AS4C1M16S-7TCNTR

La description: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C256M16D3-12BAN

AS4C256M16D3-12BAN

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M32MSA-6BINTR

AS4C16M32MSA-6BINTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C256M16D3-12BCNTR

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La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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AS4C1M16S-6TCNTR

AS4C1M16S-6TCNTR

La description: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C1M16S-6TINTR

AS4C1M16S-6TINTR

La description: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C256M16D3A-12BANTR

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La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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