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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > AS4C32M16D1-5BIN
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3845495AS4C32M16D1-5BIN imageAlliance Memory, Inc.

AS4C32M16D1-5BIN

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1200+
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Spécifications
  • Modèle de produit
    AS4C32M16D1-5BIN
  • Fabricant / marque
    Alliance Memory, Inc.
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    AS4C32M16D1-5BIN.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    2.3 V ~ 2.7 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR
  • Package composant fournisseur
    60-TFBGA (8x13)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    60-TFBGA
  • Autres noms
    1450-1327
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (32M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    8 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
  • Fréquence d'horloge
    200MHz
  • Temps d'accès
    700ps

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "AS4C32M16D1-5BIN".
AS4C2M43D1A-5BIN

AS4C2M43D1A-5BIN

La description: DDR SDRAM

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C2M43D1A-5BINTR

AS4C2M43D1A-5BINTR

La description: DDR SDRAM

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C32M16D1-5TIN

AS4C32M16D1-5TIN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C2M32SA-6TIN

AS4C2M32SA-6TIN

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C32M16D1A-5TAN

AS4C32M16D1A-5TAN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C32M16D1A-5TCN

AS4C32M16D1A-5TCN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C32M16D1A-5TANTR

AS4C32M16D1A-5TANTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

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RFQ
AS4C32M16D1-5TINTR

AS4C32M16D1-5TINTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C32M16D1-5TCN

AS4C32M16D1-5TCN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C2M32SA-6TCN

AS4C2M32SA-6TCN

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C2M32SA-7TCN

AS4C2M32SA-7TCN

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C2M32SA-6TINTR

AS4C2M32SA-6TINTR

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C32M16D1A-5TCNTR

AS4C32M16D1A-5TCNTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

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RFQ
AS4C2M32SA-7TCNTR

AS4C2M32SA-7TCNTR

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

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RFQ
AS4C32M16D1-5BINTR

AS4C32M16D1-5BINTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

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RFQ
AS4C32M16D1-5BCNTR

AS4C32M16D1-5BCNTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60BGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16D1A-5TIN

AS4C32M16D1A-5TIN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C32M16D1-5TCNTR

AS4C32M16D1-5TCNTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C2M32SA-6TCNTR

AS4C2M32SA-6TCNTR

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

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AS4C32M16D1-5BCN

AS4C32M16D1-5BCN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60BGA

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