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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > AS4C32M16D3-12BINTR
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6040426AS4C32M16D3-12BINTR imageAlliance Memory, Inc.

AS4C32M16D3-12BINTR

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Spécifications
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    AS4C32M16D3-12BINTR
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - Alimentation
    1.425 V ~ 1.575 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR3
  • Package composant fournisseur
    96-FBGA (13x8)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    96-VFBGA
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (32M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    8 Weeks
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR3 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 800MHz 20ns 96-FBGA (13x8)
  • Fréquence d'horloge
    800MHz
  • Temps d'accès
    20ns
AS4C32M16D2B-25BCNTR

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16D2B-25BCN

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AS4C32M16D2A-25BINTR

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AS4C32M16D3L-12BINTR

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AS4C32M16D3L-12BIN

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AS4C32M16MD1-5BCNTR

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AS4C32M16MD1-5BIN

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AS4C32M16D2A-25BIN

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AS4C32M16D2B-25BIN

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AS4C32M16MD1-6BCN

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AS4C32M16D3L-12BCNTR

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AS4C32M16D3-12BIN

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AS4C32M16D3-12BCN

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