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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > AS4C32M16SM-7TIN
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215228AS4C32M16SM-7TIN imageAlliance Memory, Inc.

AS4C32M16SM-7TIN

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Spécifications
  • Modèle de produit
    AS4C32M16SM-7TIN
  • Fabricant / marque
    Alliance Memory, Inc.
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    AS4C32M16SM-7TIN.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    3 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    SDRAM
  • Package composant fournisseur
    54-TSOP II
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Autres noms
    1450-1125
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (32M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 133MHz 5.4ns 54-TSOP II
  • Fréquence d'horloge
    133MHz
  • Temps d'accès
    5.4ns

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AS4C32M32MD1A-5BINTR

AS4C32M32MD1A-5BINTR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SB-7TIN

AS4C32M16SB-7TIN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M32MD1-5BIN

AS4C32M32MD1-5BIN

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SA-7TINTR

AS4C32M16SA-7TINTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M32MD1A-5BIN

AS4C32M32MD1A-5BIN

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

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AS4C32M16SM-7TCN

AS4C32M16SM-7TCN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C32M16SM-7TCNTR

AS4C32M16SM-7TCNTR

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Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C32M32MD2-25BCN

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C32M16SB-7TINTR

AS4C32M16SB-7TINTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C32M32MD1-5BCN

AS4C32M32MD1-5BCN

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

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AS4C32M16SB-6TIN

AS4C32M16SB-6TIN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SB-7TCN

AS4C32M16SB-7TCN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M32MD2A-25BCN

AS4C32M32MD2A-25BCN

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AS4C32M32MD1-5BCNTR

AS4C32M32MD1-5BCNTR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

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AS4C32M16SB-6TINTR

AS4C32M16SB-6TINTR

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AS4C32M16SM-7TINTR

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AS4C32M32MD1-5BINTR

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AS4C32M32MD2-25BCNTR

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AS4C32M16SA-7TIN

AS4C32M16SA-7TIN

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AS4C32M16SB-7TCNTR

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