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AS4C4M32D1-5BCN

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Spécifications
  • Modèle de produit
    AS4C4M32D1-5BCN
  • Fabricant / marque
    Alliance Memory, Inc.
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 128M PARALLEL 144BGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    12ns
  • Tension - Alimentation
    2.3 V ~ 2.7 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR
  • Package composant fournisseur
    144-BGA
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    -
  • Autres noms
    1450-1323
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    128Mb (4M x 32)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 200MHz 700ps 144-BGA
  • Fréquence d'horloge
    200MHz
  • Temps d'accès
    700ps

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "AS4C4M32D1-5BCN".
AS4C4M16SA-7B2CNTR

AS4C4M16SA-7B2CNTR

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C4M16SA-7TCNTR

AS4C4M16SA-7TCNTR

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C4M32S-6BINTR

AS4C4M32S-6BINTR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C4M32D1A-5BCN

AS4C4M32D1A-5BCN

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C4M16SA-6TIN

AS4C4M16SA-6TIN

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C4M16SA-6TCN

AS4C4M16SA-6TCN

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C4M32MSA-6BIN

AS4C4M32MSA-6BIN

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C4M32S-6BIN

AS4C4M32S-6BIN

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C4M32MSA-6BINTR

AS4C4M32MSA-6BINTR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M16SA-6TCNTR

AS4C4M16SA-6TCNTR

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C4M16SA-7B2CN

AS4C4M16SA-7B2CN

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C4M32D1A-5BIN

AS4C4M32D1A-5BIN

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M32S-6TCN

AS4C4M32S-6TCN

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M16SA-7BCNTR

AS4C4M16SA-7BCNTR

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M16SA-7BCN

AS4C4M16SA-7BCN

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

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AS4C4M32D1A-5BINTR

AS4C4M32D1A-5BINTR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M16SA-6TINTR

AS4C4M16SA-6TINTR

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

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AS4C4M32D1-5BIN

AS4C4M32D1-5BIN

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 144BGA

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AS4C4M16SA-7TCN

AS4C4M16SA-7TCN

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C4M32D1A-5BCNTR

AS4C4M32D1A-5BCNTR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

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