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6546537AS4C4M32S-7TCN imageAlliance Memory, Inc.

AS4C4M32S-7TCN

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Spécifications
  • Modèle de produit
    AS4C4M32S-7TCN
  • Fabricant / marque
    Alliance Memory, Inc.
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    AS4C4M32S-7TCN.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    2ns
  • Tension - Alimentation
    3 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    SDRAM
  • Package composant fournisseur
    86-TSOP II
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Autres noms
    1450-1011
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    128Mb (4M x 32)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 143MHz 5.5ns 86-TSOP II
  • Fréquence d'horloge
    143MHz
  • Temps d'accès
    5.5ns

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AS4C4M32SA-7TCN

AS4C4M32SA-7TCN

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M32SA-6TCN

AS4C4M32SA-6TCN

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Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M32SA-7TCNTR

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Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M32S-7BCNTR

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AS4C4M32S-6TINTR

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

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AS4C512M16D3L-12BCN

AS4C512M16D3L-12BCN

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M32S-6BIN

AS4C4M32S-6BIN

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AS4C4M32SA-6TIN

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AS4C512M16D3L-12BCNTR

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AS4C4M32MSA-6BINTR

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AS4C4M32S-6BINTR

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AS4C4M32S-6TIN

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AS4C4M32S-6TCN

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AS4C512M16D3L-12BIN

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AS4C4M32MSA-6BIN

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AS4C4M32S-7BCN

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