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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > AS4C512M32MD3-15BCNTR
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AS4C512M32MD3-15BCNTR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    AS4C512M32MD3-15BCNTR
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 16G PARALLEL 178FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.14 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR3
  • Package composant fournisseur
    178-FBGA (11.5x11)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    178-VFBGA
  • Température de fonctionnement
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    16Gb (512M x 32)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 16Gb (512M x 32) Parallel 667MHz 178-FBGA (11.5x11)
  • Fréquence d'horloge
    667MHz
AS4C512M8D3A-12BCN

AS4C512M8D3A-12BCN

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M32SA-7TCNTR

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

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AS4C512M8D3-12BINTR

AS4C512M8D3-12BINTR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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AS4C512M8D3-12BANTR

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La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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AS4C512M8D3-12BCN

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La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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AS4C4M32SA-6TCNTR

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

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AS4C512M16D3L-12BCN

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La description: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

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AS4C4M32SA-6TINTR

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AS4C4M32SA-6TIN

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AS4C512M16D3L-12BINTR

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AS4C512M8D3A-12BCNTR

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AS4C512M8D3-12BCNTR

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AS4C4M32SA-7TCN

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AS4C512M8D3-12BIN

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AS4C512M8D3-12BAN

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AS4C512M16D3L-12BCNTR

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AS4C512M32MD3-15BCN

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AS4C512M8D3A-12BAN

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AS4C512M16D3L-12BIN

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AS4C512M8D3A-12BANTR

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