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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > AS4C64M16D3-12BCNTR
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5618446AS4C64M16D3-12BCNTR imageAlliance Memory, Inc.

AS4C64M16D3-12BCNTR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    AS4C64M16D3-12BCNTR
  • Fabricant / marque
    Alliance Memory, Inc.
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    AS4C64M16D3-12BCNTR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.425 V ~ 1.575 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR3
  • Package composant fournisseur
    96-FBGA (13x9)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    96-TFBGA
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    1Gb (64M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR3 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 800MHz 20ns 96-FBGA (13x9)
  • Fréquence d'horloge
    800MHz
  • Temps d'accès
    20ns

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AS4C64M16D3A-12BAN

AS4C64M16D3A-12BAN

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M16D3-12BINTR

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Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M16D3A-12BINTR

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AS4C64M16D3-12BAN

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AS4C64M16D2A-25BCN

AS4C64M16D2A-25BCN

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AS4C64M16D2B-25BCN

AS4C64M16D2B-25BCN

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AS4C64M16D3A-12BANTR

AS4C64M16D3A-12BANTR

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AS4C64M16D3A-12BIN

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AS4C64M16D3B-12BAN

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AS4C64M16D3A-12BCN

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AS4C64M16D3-12BIN

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AS4C64M16D2A-25BCNTR

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AS4C64M16D2A-25BANTR

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AS4C64M16D2A-25BINTR

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AS4C64M16D3A-12BCNTR

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AS4C64M16D3-12BANTR

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AS4C64M16D2A-25BIN

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AS4C64M16D3B-12BANTR

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AS4C64M16D2B-25BCNTR

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AS4C64M16D3-12BCN

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