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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > AS4C8M16S-6TAN
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4438004AS4C8M16S-6TAN imageAlliance Memory, Inc.

AS4C8M16S-6TAN

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Spécifications
  • Modèle de produit
    AS4C8M16S-6TAN
  • Fabricant / marque
    Alliance Memory, Inc.
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    AS4C8M16S-6TAN.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    2ns
  • Tension - Alimentation
    3 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    SDRAM
  • Package composant fournisseur
    54-TSOP II
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Autres noms
    1450-1161
    AS4C8M16S-6TAN-ND
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    128Mb (8M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II
  • Fréquence d'horloge
    166MHz
  • Temps d'accès
    5ns

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Expédition
Paiement
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AS4C8M16S-7TCN

AS4C8M16S-7TCN

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C8M16S-6TCNTR

AS4C8M16S-6TCNTR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C8M16MSA-6BIN

AS4C8M16MSA-6BIN

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C8M16D1-5TIN

AS4C8M16D1-5TIN

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C8M16S-7BCN

AS4C8M16S-7BCN

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C8M16D1A-5TINTR

AS4C8M16D1A-5TINTR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C8M16S-6BINTR

AS4C8M16S-6BINTR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M16S-6BIN

AS4C8M16S-6BIN

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Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M16MSA-6BINTR

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Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M16S-6TANTR

AS4C8M16S-6TANTR

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Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M16D1A-5TCN

AS4C8M16D1A-5TCN

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M16D1A-5TIN

AS4C8M16D1A-5TIN

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M16S-6TINTR

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

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AS4C8M16SA-6BAN

AS4C8M16SA-6BAN

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AS4C8M16S-6TIN

AS4C8M16S-6TIN

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

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AS4C8M16D1A-5TCNTR

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C8M16S-7TCNTR

AS4C8M16S-7TCNTR

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AS4C8M16S-6TCN

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AS4C8M16S-7BCNTR

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

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AS4C8M16D1-5TINTR

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