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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > AS7C325632-10BINTR
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2964202AS7C325632-10BINTR imageAlliance Memory, Inc.

AS7C325632-10BINTR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    AS7C325632-10BINTR
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 8M PARALLEL 90TFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    10ns
  • Tension - Alimentation
    2.7 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Package composant fournisseur
    90-TFBGA (8x13)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    90-VFBGA
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    8Mb (1M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Description détaillée
    SRAM - Asynchronous Memory IC 8Mb (1M x 8) Parallel 10ns 90-TFBGA (8x13)
  • Temps d'accès
    10ns
AS7C32098A-15TINTR

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La description: IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS7C32098A-15TCN

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La description: IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

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AS7C32098A-20TIN

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AS7C3256A-10JINTR

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La description: IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ

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AS7C3256A-12JCNTR

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AS7C32098A-12TINTR

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AS7C3256A-10TCNTR

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AS7C32098A-15TCNTR

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AS7C3256A-12JCN

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AS7C325632-10BIN

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La description: IC SRAM 8M PARALLEL 90TFBGA

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AS7C3256A-10JIN

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