AOTF10B60D2

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Spécifications

Modèle de produit

AOTF10B60D2
Fabricant / marque

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 600V 10A TO-220F
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

AOTF10B60D2.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 5A
Condition de test

400V, 5A, 60 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

12ns/83ns
énergie de commutation

140µJ (on), 40µJ (off)
Package composant fournisseur

TO-220F
Séries

Alpha IGBT™
Temps de recouvrement inverse (trr)

98ns
Puissance - Max

31.2W
Package / Boîte

TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant

26 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

-
gate charge

9.4nC
Description détaillée

IGBT 600V 23A 31.2W Through Hole TO-220F
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

20A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

23A

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "AOTF10B60D2".

AOT8N60

La description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220

Fabricant: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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