Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - RF > UPA800T-T1
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
6898141

UPA800T-T1

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1+
$1.48
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    UPA800T-T1
  • Fabricant / marque
    CEL (California Eastern Laboratories)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS NPN HF FT=8GHZ SOT-363
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    1.UPA800T-T1.pdf
    2.UPA800T-T1.pdf
    3.UPA800T-T1.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    10V
  • Transistor Type
    2 NPN (Dual)
  • Package composant fournisseur
    6-SO
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    200mW
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Autres noms
    UPA800T
    UPA800T-ND
    UPA800TCT
    UPA800TT1
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Noise Figure (dB Typ @ f)
    1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Gain
    -
  • Fréquence - Transition
    8GHz
  • Description détaillée
    RF Transistor 2 NPN (Dual) 10V 35mA 8GHz 200mW Surface Mount 6-SO
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 3V
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    35mA
  • Numéro de pièce de base
    UPA800

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "UPA800T-T1".
UPA672T-T1-A

UPA672T-T1-A

La description: MOSFET 2N-CH 50V 0.1A SC-88

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
UPA801T-T1-A

UPA801T-T1-A

La description: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
UPA810T-A

UPA810T-A

La description: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
UPA2821T1L-E1-AT

UPA2821T1L-E1-AT

La description: MOSFET N-CH 30V 26A 8HVSON

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
UPA2822T1L-E1-AT

UPA2822T1L-E1-AT

La description: MOSFET N-CH 30V 34A 8HVSON

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
UPA3753GR-E1-AT

UPA3753GR-E1-AT

La description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
UPA806T-A

UPA806T-A

La description: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
UPA802T-A

UPA802T-A

La description: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
UPA800T-A

UPA800T-A

La description: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
UPA801T-A

UPA801T-A

La description: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
UPA800T-T1-A

UPA800T-T1-A

La description: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
UPA2814T1S-E2-AT

UPA2814T1S-E2-AT

La description: MOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
UPA810T-T1

UPA810T-T1

La description: TRANS NPN HF FT=4.5GHZ 6SMT

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
UPA806T-T1

UPA806T-T1

La description: TRANS NPN HF FT=12GHZ SOT-363

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
UPA802T-T1-A

UPA802T-T1-A

La description: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
UPA2820T1S-E2-AT

UPA2820T1S-E2-AT

La description: MOSFET N-CH 30V 8HVSON

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
UPA2825T1S-E2-AT

UPA2825T1S-E2-AT

La description: MOSFET N-CH 30V 8HVSON

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
UPA806T-T1-A

UPA806T-T1-A

La description: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
RFQ
UPA2816T1S-E2-AT

UPA2816T1S-E2-AT

La description: MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
UPA2815T1S-E2-AT

UPA2815T1S-E2-AT

La description: MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.