2N5551

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Spécifications

Modèle de produit

2N5551
Fabricant / marque

Central Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

2N5551.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-92
Séries

-
Puissance - Max

625mW
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Autres noms

2N5551 TIN/LEAD
2N5551_D26Z
2N5551CS
Température de fonctionnement

-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

300MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

50nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

600mA

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2N5550TFR

La description:

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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