2N6491

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Spécifications

Modèle de produit

2N6491
Fabricant / marque

Central Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

2N6491.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

3.5V @ 5A, 15A
Transistor Type

PNP
Package composant fournisseur

TO-220-3
Séries

-
Puissance - Max

75W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

2N6491 PBFREE
2N6491CS
Température de fonctionnement

-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant

18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

5MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 15A 5MHz 75W Through Hole TO-220-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 1A, 4V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

-
Courant - Collecteur (Ic) (max)

15A

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