2N6668

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Spécifications

Modèle de produit

2N6668
Fabricant / marque

Central Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PNP DARL 80V 10A TO220
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

2N6668.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

-
Transistor Type

PNP - Darlington
Package composant fournisseur

TO-220
Séries

-
Puissance - Max

65W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

2N6668CS
Température de fonctionnement

-
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

20MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 10A 20MHz 65W Through Hole TO-220
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

-
Courant - Collecteur (Ic) (max)

10A

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "2N6668".

2N6667G

La description: TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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