BDV65A

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Spécifications

Modèle de produit

BDV65A
Fabricant / marque

Central Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

POWER TRANSISTOR NPN TO218
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

BDV65A.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

-
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-218
Séries

-
Puissance - Max

125W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-218-3
Température de fonctionnement

-
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

60MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 12A 60MHz 125W Through Hole TO-218
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 4V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

-
Courant - Collecteur (Ic) (max)

12A

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Ce qui suit est des produits liés à "BDV65A".

BDV65B-S

La description: TRANS NPN DARL 100V 12A

Fabricant: Bourns, Inc.

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