BDW83B

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Spécifications

Modèle de produit

BDW83B
Fabricant / marque

Central Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

POWER TRANSISTOR NPN TO218
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

BDW83B.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

-
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-218
Séries

-
Puissance - Max

130W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-218-3
Température de fonctionnement

-
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 15A 130W Through Hole TO-218
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

750 @ 6A, 3V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

-
Courant - Collecteur (Ic) (max)

15A

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Ce qui suit est des produits liés à "BDW83B".

BDW74-S

La description: TRANS PNP DARL 45V 8A

Fabricant: Bourns, Inc.

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