TIP29B

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Spécifications

Modèle de produit

TIP29B
Fabricant / marque

Central Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

TIP29B.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 125mA, 1A
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-220-3
Séries

-
Puissance - Max

30W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

TIP29B PBFREE
TIP29BCS
Température de fonctionnement

-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant

18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

3MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 3MHz 30W Through Hole TO-220-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 200mA, 4V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

300µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

1A

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La description:

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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