1N4006T-G

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Spécifications

Modèle de produit

1N4006T-G
Fabricant / marque

Comchip Technology
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1N4006T-G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.1V @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max)

800V
Package composant fournisseur

DO-41
La vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries

-
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

DO-204AL, DO-41, Axial
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-41
Courant - fuite, inverse à Vr

5µA @ 800V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

1A
Capacité à Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz
Numéro de pièce de base

1N4006

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1N4007-B

La description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Fabricant: Diodes Incorporated

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