CDBDSC8650-G

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Spécifications

Modèle de produit

CDBDSC8650-G
Fabricant / marque

Comchip Technology
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

CDBDSC8650-G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.7V @ 8A
Tension - inverse (Vr) (max)

650V
Package composant fournisseur

D-PAK (TO-252)
La vitesse

No Recovery Time > 500mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

0ns
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

641-1932
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 175°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Silicon Carbide Schottky
Description détaillée

Diode Silicon Carbide Schottky 650V 25.5A (DC) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Courant - fuite, inverse à Vr

100µA @ 650V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

25.5A (DC)
Capacité à Vr, F

550pF @ 0V, 1MHz

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La description: DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

Fabricant: Comchip Technology

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