CDBGBSC20650-G

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Spécifications

Modèle de produit

CDBGBSC20650-G
Fabricant / marque

Comchip Technology
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

CDBGBSC20650-G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.7V @ 10A
Tension - inverse (Vr) (max)

650V
Package composant fournisseur

TO-247
La vitesse

No Recovery Time > 500mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

0ns
Package / Boîte

TO-247-3
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 175°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Silicon Carbide Schottky
Configuration diode

1 Pair Common Cathode
Description détaillée

Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 650V 33A (DC) Through Hole TO-247-3
Courant - fuite, inverse à Vr

100µA @ 650V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

33A (DC)

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "CDBGBSC20650-G".

CDBH38D18NP-R24MC-PR

La description: FIXED INDUCTOR SHIELDED

Fabricant: Sumida Corporation

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