Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > CDBJSC8650-G
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
3680546

CDBJSC8650-G

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1000+
$1.808
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    CDBJSC8650-G
  • Fabricant / marque
    Comchip Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    CDBJSC8650-G.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.7V @ 8A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    650V
  • Package composant fournisseur
    TO-220-2
  • La vitesse
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    0ns
  • Package / Boîte
    TO-220-2
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 175°C
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    16 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Silicon Carbide Schottky
  • Description détaillée
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole TO-220-2
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    100µA @ 650V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    8A (DC)
  • Capacité à Vr, F
    560pF @ 0V, 1MHz

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

La Corée du Sud prévoit de promulguer la loi sur la puce ...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "CDBJSC8650-G".
CDBJSC10650-G

CDBJSC10650-G

La description: DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

Fabricant: Comchip Technology
En stock
RFQ
CDBJFSC10650-G

CDBJFSC10650-G

La description: DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

Fabricant: Comchip Technology
En stock
RFQ
CDBK0520L-HF

CDBK0520L-HF

La description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123F

Fabricant: Comchip Technology
En stock
RFQ
CDBK0520-HF

CDBK0520-HF

La description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123F

Fabricant: Comchip Technology
En stock
RFQ
CDBJFSC5650-G

CDBJFSC5650-G

La description: DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

Fabricant: Comchip Technology
En stock
RFQ
CDBJSC101700-G

CDBJSC101700-G

La description: DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

Fabricant: Comchip Technology
En stock
RFQ
CDBJFSC3650-G

CDBJFSC3650-G

La description: DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

Fabricant: Comchip Technology
En stock
RFQ
CDBJSC5650-G

CDBJSC5650-G

La description: DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

Fabricant: Comchip Technology
En stock
RFQ
CDBK0530-HF

CDBK0530-HF

La description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123F

Fabricant: Comchip Technology
En stock
RFQ
CDBJFSC101200-G

CDBJFSC101200-G

La description: DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

Fabricant: Comchip Technology
En stock
RFQ
CDBK0520

CDBK0520

La description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123F

Fabricant: Comchip Technology
En stock
RFQ
CDBM1100-G

CDBM1100-G

La description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A MINISMA

Fabricant: Comchip Technology
En stock
RFQ
CDBK0540

CDBK0540

La description: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123F

Fabricant: Comchip Technology
En stock
RFQ
CDBK0530

CDBK0530

La description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123F

Fabricant: Comchip Technology
En stock
RFQ
CDBJFSC8650-G

CDBJFSC8650-G

La description: DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

Fabricant: Comchip Technology
En stock
RFQ
CDBK0540-HF

CDBK0540-HF

La description: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123F

Fabricant: Comchip Technology
En stock
RFQ
CDBHM290L-HF

CDBHM290L-HF

La description: DIODE SCHOTTKY 90V 2A MBS-2

Fabricant: Comchip Technology
En stock
RFQ
CDBK0520L

CDBK0520L

La description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123F

Fabricant: Comchip Technology
En stock
RFQ
CDBJSC3650-G

CDBJSC3650-G

La description: DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

Fabricant: Comchip Technology
En stock
RFQ
CDBM1100-HF

CDBM1100-HF

La description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A MINISMA

Fabricant: Comchip Technology
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.