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C3M0065100J

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Spécifications

Modèle de produit

C3M0065100J
Fabricant / marque

Wolfspeed
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

C3M0065100J.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 5mA
Vgs (Max)

+15V, -4V
La technologie

SiCFET (Silicon Carbide)
Package composant fournisseur

D2PAK-7
Séries

C3M™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

78 mOhm @ 20A, 15V
Dissipation de puissance (max)

113.5W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

26 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 600V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 15V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

15V
Tension drain-source (Vdss)

1000V
Description détaillée

N-Channel 1000V 35A (Tc) 113.5W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

35A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "C3M0065100J".

DMN2080UCB4-7

La description: MOSFET BVDSS: 8V24V X2-WLB0808-

Fabricant: Diodes Incorporated

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