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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > CY14B104NA-ZS25XE
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840343CY14B104NA-ZS25XE imageCypress Semiconductor

CY14B104NA-ZS25XE

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Spécifications
  • Modèle de produit
    CY14B104NA-ZS25XE
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC NVSRAM 4M PARALLEL
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    25ns
  • Tension - Alimentation
    3 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Package composant fournisseur
    44-TSOP II
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    4Mb (256K x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    NVSRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    12 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 25ns 44-TSOP II
  • Temps d'accès
    25ns
CY14B104NA-ZS20XI

CY14B104NA-ZS20XI

La description: IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Fabricant: Cypress Semiconductor
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CY14B104NA-BA45XET

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La description: IC NVSRAM 4M PARALLEL

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CY14B104NA-BA25XI

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La description: IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

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CY14B104NA-ZS25XIT

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CY14B104NA-ZSP25XIT

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La description: IC NVSRAM 4M PARALLEL 54TSOP

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CY14B104NA-ZS45XI

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CY14B104NA-ZS45XE

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CY14B104NA-BA45XE

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CY14B104NA-ZS20XIT

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CY14B104NA-ZSP25XI

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CY14B104NA-ZS45XIT

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CY14B104NA-ZS25XET

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CY14B104NA-BA45XI

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La description: IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

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CY14B104NA-ZSP45XI

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