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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > CY62126EV18LL-70BVXI
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4665838CY62126EV18LL-70BVXI imageCypress Semiconductor

CY62126EV18LL-70BVXI

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Spécifications
  • Modèle de produit
    CY62126EV18LL-70BVXI
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 1M PARALLEL
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    70ns
  • Tension - Alimentation
    1.65 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Package composant fournisseur
    48-VFBGA (6x8)
  • Séries
    MoBL®
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    48-VFBGA
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    1Mb (64K x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    9 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 70ns 48-VFBGA (6x8)
  • Temps d'accès
    70ns
CY62126EV30LL-55ZSXET

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La description: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

Fabricant: Cypress Semiconductor
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CY62127DV30L-55BVXE

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CY62126EV30LL-45ZSXIT

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La description: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

Fabricant: Cypress Semiconductor
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CY62127DV30L-55BVXET

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CY62126EV30LL-55ZSXE

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CY62126ESL-45ZSXI

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CY62126EV30LL-45ZSXA

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CY62126ESL-45ZSXAT

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CY62126EV30LL-45BVXI

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CY62126ESL-45ZSXIT

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