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CY62146GE-45ZSXIT

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Spécifications
  • Modèle de produit
    CY62146GE-45ZSXIT
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 4M PARALLEL
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    45ns
  • Tension - Alimentation
    4.5 V ~ 5.5 V
  • La technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Package composant fournisseur
    44-TSOP II
  • Séries
    MoBL®
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    4Mb (256K x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 45ns 44-TSOP II
  • Temps d'accès
    45ns
CY62146GN30-45ZSXIT

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La description: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Fabricant: Cypress Semiconductor
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CY62146GN30-45BVXI

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La description: IC SRAM 4M PARALLEL

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La description: IC SRAM 4M PARALLEL

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CY62146G-45ZSXI

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CY62146G30-45ZSXA

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CY62146GE30-45ZSXI

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CY62146G30-45ZSXAT

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CY62146G30-45BVXIT

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La description: IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

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CY62146GE30-45BVXI

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CY62146GN-45ZSXIT

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CY62146G-45ZSXAT

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CY62146GN-45ZSXI

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CY62146G30-45ZSXI

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