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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > CY7C1041GE30-10ZSXI
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2507662CY7C1041GE30-10ZSXI imageCypress Semiconductor

CY7C1041GE30-10ZSXI

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270+
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540+
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1080+
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Spécifications
  • Modèle de produit
    CY7C1041GE30-10ZSXI
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    10ns
  • Tension - Alimentation
    3 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Package composant fournisseur
    44-TSOP II
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    4Mb (256K x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 10ns 44-TSOP II
  • Temps d'accès
    10ns
CY7C1041GE30-10BVXIT

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La description: IC SRAM 4M PARALLEL

Fabricant: Cypress Semiconductor
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CY7C1041GE30-10BVXI

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La description: IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

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CY7C1041G30-10ZSXIT

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CY7C1041GN-10ZSXIT

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CY7C1041GN-10VXI

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CY7C1041GN30-10BVJXIT

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