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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > CY7C1069GE30-10ZSXI
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2706470CY7C1069GE30-10ZSXI imageCypress Semiconductor

CY7C1069GE30-10ZSXI

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Spécifications
  • Modèle de produit
    CY7C1069GE30-10ZSXI
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    10ns
  • Tension - Alimentation
    2.2 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Package composant fournisseur
    54-TSOP II
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    16Mb (2M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Asynchronous Memory IC 16Mb (2M x 8) Parallel 10ns 54-TSOP II
  • Temps d'accès
    10ns
CY7C1069G30-10ZSXIT

CY7C1069G30-10ZSXIT

La description: IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Cypress Semiconductor
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CY7C1069DV33-10ZSXI

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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CY7C106D-10VXI

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La description: IC SRAM 1M PARALLEL 28SOJ

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CY7C1069G-10ZSXI

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La description: IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

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CY7C1069G-10BVXI

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La description: IC SRAM 32M PARALLEL 48FBGA

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CY7C106D-10VXIT

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