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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > CY7C1268KV18-550BZXC
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6765982CY7C1268KV18-550BZXC imageCypress Semiconductor

CY7C1268KV18-550BZXC

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Spécifications
  • Modèle de produit
    CY7C1268KV18-550BZXC
  • Fabricant / marque
    Cypress Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    CY7C1268KV18-550BZXC.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.9 V
  • La technologie
    SRAM - Synchronous, DDR II+
  • Package composant fournisseur
    165-FBGA (13x15)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    165-LBGA
  • Autres noms
    CY7C1268KV18550BZXC
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    36Mb (2M x 18)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    15 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Synchronous, DDR II+ Memory IC 36Mb (2M x 18) Parallel 550MHz 165-FBGA (13x15)
  • Fréquence d'horloge
    550MHz
  • Numéro de pièce de base
    CY7C1268

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CY7C1268XV18-600BZXC

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La description: IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

Fabricant: Cypress Semiconductor
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RFQ
CY7C1268XV18-633BZXC

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La description: IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

Fabricant: Cypress Semiconductor
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CY7C12681KV18-400BZXC

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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CY7C1268KV18-450BZXC

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CY7C1270KV18-550BZC

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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RFQ
CY7C1265XV18-600BZXC

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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RFQ
CY7C1268KV18-400BZXC

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CY7C1270V18-375BZI

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CY7C12681KV18-400BZC

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CY7C1268V18-400BZXC

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CY7C1265V18-450BZC

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CY7C1265V18-400BZXC

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CY7C1270V18-375BZC

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CY7C1265XV18-633BZXC

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CY7C1270KV18-400BZXI

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