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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > CY7C1314KV18-250BZXCT
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3441527CY7C1314KV18-250BZXCT imageCypress Semiconductor

CY7C1314KV18-250BZXCT

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Spécifications
  • Modèle de produit
    CY7C1314KV18-250BZXCT
  • Fabricant / marque
    Cypress Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    CY7C1314KV18-250BZXCT.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.9 V
  • La technologie
    SRAM - Synchronous, QDR II
  • Package composant fournisseur
    165-FBGA (13x15)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    165-LBGA
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    18Mb (512K x 36)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    15 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 250MHz 165-FBGA (13x15)
  • Fréquence d'horloge
    250MHz
  • Numéro de pièce de base
    CY7C1314

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CY7C1315BV18-167BZC

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CY7C1314KV18-250BZXC

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CY7C1314CV18-200BZC

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CY7C1315BV18-167BZCT

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CY7C1314SV18-250BZC

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CY7C1314CV18-250BZC

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CY7C1314KV18-250BZC

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CY7C1314KV18-250BZCT

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CY7C1315BV18-200BZI

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CY7C1314KV18-250BZXI

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CY7C1314KV18-333BZC

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CY7C1314JV18-250BZXC

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CY7C1314KV18-300BZXC

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CY7C1314TV18-167BZC

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