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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > CY7C1370DV25-167BZI
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6745484CY7C1370DV25-167BZI imageCypress Semiconductor

CY7C1370DV25-167BZI

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Spécifications
  • Modèle de produit
    CY7C1370DV25-167BZI
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    2.375 V ~ 2.625 V
  • La technologie
    SRAM - Synchronous
  • Package composant fournisseur
    165-FBGA (13x15)
  • Séries
    NoBL™
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    165-LBGA
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    18Mb (512K x 36)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 167MHz 3.4ns 165-FBGA (13x15)
  • Fréquence d'horloge
    167MHz
  • Numéro de pièce de base
    CY7C1370
  • Temps d'accès
    3.4ns
CY7C1370DV25-200BZCT

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La description: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Fabricant: Cypress Semiconductor
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CY7C1370DV25-167AXIT

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CY7C1370D-200BZIT

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CY7C1370D-250AXCT

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CY7C1370D-250AXC

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CY7C1370DV25-167AXC

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CY7C1370D-250AXI

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CY7C1370DV25-200BZC

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CY7C1370DV25-250AXC

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CY7C1370DV25-167AXCT

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CY7C1370DV25-200AXC

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CY7C1370KV25-167BZI

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CY7C1370D-200BZI

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