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S26KL256SDABHB023

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Spécifications
  • Modèle de produit
    S26KL256SDABHB023
  • Fabricant / marque
    Cypress Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 256M PARALLEL 100MHZ
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    S26KL256SDABHB023.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    2.7 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NOR
  • Séries
    Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    256Mb (32M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Délai de livraison standard du fabricant
    15 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NOR Memory IC 256Mb (32M x 8) Parallel 100MHz 96ns
  • Fréquence d'horloge
    100MHz
  • Temps d'accès
    96ns

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S26KL256SDABHA020

S26KL256SDABHA020

La description: IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

Fabricant: Cypress Semiconductor
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RFQ
S26KL256SDABHV020

S26KL256SDABHV020

La description: IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

Fabricant: Cypress Semiconductor
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RFQ
S26KL256SDABHB020

S26KL256SDABHB020

La description: IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

Fabricant: Cypress Semiconductor
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RFQ
S26KL128SDABHN020

S26KL128SDABHN020

La description: IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA

Fabricant: Cypress Semiconductor
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S26KL128SDABHI020

S26KL128SDABHI020

La description: IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA

Fabricant: Cypress Semiconductor
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RFQ
S26KL256SDABHN020

S26KL256SDABHN020

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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S26KL256SDABHA030

S26KL256SDABHA030

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S26KL128SDABHM030

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S26KL256SDABHB030

S26KL256SDABHB030

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S26KL256SDABHI020

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S26KL128SDABHV020

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S26KL256SDABHI030

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S26KL512SDABHA030

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S26KL256SDABHV030

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S26KL512SDABHA020

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S26KL256SDABHN030

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S26KL256SDABHM030

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