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4880672S26KS512SDABHV030 imageCypress Semiconductor

S26KS512SDABHV030

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Spécifications
  • Modèle de produit
    S26KS512SDABHV030
  • Fabricant / marque
    Cypress Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.S26KS512SDABHV030.pdf
    2.S26KS512SDABHV030.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    FLASH - NOR
  • Package composant fournisseur
    24-FBGA (6x8)
  • Séries
    HyperFlash™ KS
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    24-VBGA
  • Autres noms
    428-3736
    S26KS512SDABHV030-ND
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (64M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 100MHz 96ns 24-FBGA (6x8)
  • Fréquence d'horloge
    100MHz
  • Temps d'accès
    96ns

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S26KS512SDGBHB030

S26KS512SDGBHB030

La description: IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

Fabricant: Cypress Semiconductor
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S26KS256SDPBHM023

S26KS256SDPBHM023

La description: IC FLASH 256M PARALLEL 166MHZ

Fabricant: Cypress Semiconductor
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S26KS256SDPBHN020

S26KS256SDPBHN020

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S26KS512SDGBHN030

S26KS512SDGBHN030

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S26KS512SDABHI030

S26KS512SDABHI030

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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S26KS512SDABHN030

S26KS512SDABHN030

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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RFQ
S26KS512SDPBHI020

S26KS512SDPBHI020

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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S26KS256SDPBHV020

S26KS256SDPBHV020

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S26KS512SDPBHA020

S26KS512SDPBHA020

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S26KS512SDGBHA030

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S26KS256SDPBHI020

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S26KS512SDABHB030

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S26KS512SDPBHB020

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S26KS512SDABHM030

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S26KS256SDPBHM020

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S26KS512SDABHA030

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S26KS512SDPBHA023

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