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6615479S29GL064N90DFVR23 imageCypress Semiconductor

S29GL064N90DFVR23

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Spécifications
  • Modèle de produit
    S29GL064N90DFVR23
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Modèle ECAD
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    90ns
  • Tension - Alimentation
    2.7 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NOR
  • Package composant fournisseur
    64-Fortified BGA (9x9)
  • Séries
    GL-N
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    64-LBGA
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NOR Memory IC 64Mb (8M x 8, 4M x 16) Parallel 90ns 64-Fortified BGA (9x9)
  • Temps d'accès
    90ns
GA1206Y473JBABR31G

GA1206Y473JBABR31G

La description: CAP CER 0.047UF 50V X7R 1206

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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