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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > S29GL512P10TFIR10D
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3661305S29GL512P10TFIR10D imageCypress Semiconductor

S29GL512P10TFIR10D

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Spécifications
  • Modèle de produit
    S29GL512P10TFIR10D
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    100ns
  • Tension - Alimentation
    3 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NOR
  • Package composant fournisseur
    56-TSOP (14x20)
  • Séries
    GL-P
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (32M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 100ns 56-TSOP (14x20)
  • Temps d'accès
    100ns
S29GL512P11TAI010

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La description: IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

Fabricant: Cypress Semiconductor
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S29GL512P10FFIR10

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La description: IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

Fabricant: Cypress Semiconductor
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S29GL512P10TAI010

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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S29GL512P10FFI020

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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Fabricant: Cypress Semiconductor
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Fabricant: Cypress Semiconductor
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S29GL512P10FFIR10W

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S29GL512P10TFI020

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S29GL512P10TFCR10D

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S29GL512P11FAI012

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S29GL512P11TAI020

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S29GL512P10TFCR20D

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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S29GL512P10FFIS10

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