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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > S29GL512S11FHIV10
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2092727S29GL512S11FHIV10 imageCypress Semiconductor

S29GL512S11FHIV10

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Spécifications
  • Modèle de produit
    S29GL512S11FHIV10
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    60ns
  • Tension - Alimentation
    1.65 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NOR
  • Package composant fournisseur
    64-Fortified BGA (13x11)
  • Séries
    GL-S
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    64-LBGA
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (32M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 110ns 64-Fortified BGA (13x11)
  • Temps d'accès
    110ns
S29GL512S11FAIV23

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La description: IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

Fabricant: Cypress Semiconductor
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S29GL512S11GHB020

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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S29GL512S11GHIV20

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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S29GL512S11FHIV23

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S29GL512S11FHB020

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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S29GL512S11FAIV10

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S29GL512S11GHI023

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S29GL512S11DHV023

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S29GL512S11FHIV20

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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S29GL512S11FHI010

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S29GL512S11TFA020

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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S29GL512S11FAIV13

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S29GL512S11TFAV10

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S29GL512S11FHB023

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