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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (CI) > Mémoire > S29VS256R0SBHW013
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S29VS256R0SBHW013

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Spécifications
  • Modèle de produit
    S29VS256R0SBHW013
  • Fabricant / marque
    Cypress Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    S29VS256R0SBHW013.pdf
  • Modèle ECAD
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    60ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    FLASH - NOR
  • Package composant fournisseur
    44-FBGA (7.7x6.2)
  • Séries
    VS-R
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    44-VFBGA
  • Température de fonctionnement
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    256Mb (16M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Délai de livraison standard du fabricant
    22 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NOR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 108MHz 80ns 44-FBGA (7.7x6.2)
  • Fréquence d'horloge
    108MHz
  • Temps d'accès
    80ns

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S29VS256RABBHW013

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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S29VS256RABBHW003

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S29VS128RABBHI010

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S29VS256RABBHW010

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S29VS256RABBHI010

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S29VS128RABBHW003

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S29VS128RABBHW010

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S29VS256R0SBHW003

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S29VS256RABBHI013

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S29VS256RABBHI000

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