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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > S34ML01G200BHI900
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5297403S34ML01G200BHI900 imageCypress Semiconductor

S34ML01G200BHI900

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840+
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Spécifications
  • Modèle de produit
    S34ML01G200BHI900
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    25ns
  • Tension - Alimentation
    2.7 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NAND
  • Package composant fournisseur
    63-BGA (11x9)
  • Séries
    ML-2
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    63-VFBGA
  • Autres noms
    428-4246
    S34ML01G200BHI900-ND
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    1Gb (128M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 63-BGA (11x9)
S34ML01G200BHA003

S34ML01G200BHA003

La description: IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA

Fabricant: Cypress Semiconductor
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S34ML01G100TFV000

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La description: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Cypress Semiconductor
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S34ML01G100TFV003

S34ML01G100TFV003

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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S34ML01G200TFB003

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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S34ML01G200GHI003

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La description: IC FLASH 1G PARALLEL 67BGA

Fabricant: Cypress Semiconductor
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S34ML01G200BHB003

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S34ML01G200BHI503

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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S34ML01G200BHI500

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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