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1957112S34ML04G200BHI903 imageCypress Semiconductor

S34ML04G200BHI903

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Spécifications
  • Modèle de produit
    S34ML04G200BHI903
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    25ns
  • Tension - Alimentation
    2.7 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NAND
  • Package composant fournisseur
    63-BGA (11x9)
  • Séries
    ML-2
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    63-VFBGA
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    4Gb (512M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 63-BGA (11x9)
S34ML04G200TFI503

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La description: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

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