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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > S34MS01G200BHB003
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S34MS01G200BHB003

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Spécifications
  • Modèle de produit
    S34MS01G200BHB003
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 1G PARALLEL
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    45ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    FLASH - NAND
  • Séries
    Automotive, AEC-Q100, MS-2
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    1Gb (128M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 45ns
  • Temps d'accès
    45ns
S34MS01G104BHV013

S34MS01G104BHV013

La description: IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA

Fabricant: Cypress Semiconductor
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S34MS01G104BHB013

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S34MS01G200BHI000

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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S34MS01G200TFA000

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La description: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Cypress Semiconductor
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S34MS01G200BHA003

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S34MS01G200GHI000

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La description: IC FLASH 1G PARALLEL 67BGA

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S34MS01G200TFA003

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S34MS01G200BHV003

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S34MS01G200BHI903

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S34MS01G104BHB010

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S34MS01G104BHB080

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