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S34SL04G200BHV003

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Spécifications
  • Modèle de produit
    S34SL04G200BHV003
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 4G PARALLEL
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    2.7 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NAND
  • Séries
    SL-2
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    4Gb (512M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns
  • Temps d'accès
    25ns
S34MS08G201BHB003

S34MS08G201BHB003

La description: IC FLASH 8G PARALLEL

Fabricant: Cypress Semiconductor
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La description: IC FLASH 1G PARALLEL

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La description: IC FLASH 8G PARALLEL

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La description: IC FLASH 2G PARALLEL

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La description: IC FLASH 4G PARALLEL

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La description: IC FLASH 8G PARALLEL

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La description: IC FLASH 2G PARALLEL

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La description: IC FLASH 1G PARALLEL

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La description: IC FLASH 4G PARALLEL

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La description: IC FLASH 8G PARALLEL 63BGA

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La description: IC FLASH 16G PARALLEL 63BGA

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La description: IC FLASH 2G PARALLEL

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Fabricant: Cypress Semiconductor
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