APT27ZTR-G1

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Spécifications

Modèle de produit

APT27ZTR-G1
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 450V 0.8A TO92
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APT27ZTR-G1.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

450V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 40mA, 200mA
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-92
Séries

-
Puissance - Max

800mW
Package / Boîte

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 800mA 800mW Through Hole TO-92
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 100mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

10µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

800mA

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Ce qui suit est des produits liés à "APT27ZTR-G1".

APT26F120B2

La description: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX

Fabricant: Microsemi

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