DDC115EU-7-F

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Spécifications

Modèle de produit

DDC115EU-7-F
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DDC115EU-7-F.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur

SOT-363
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

100 kOhms
Résistance - Base (R1)

100 kOhms
Puissance - Max

200mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms

DDC115EU-7-FDITR
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

82 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA

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Ce qui suit est des produits liés à "DDC115EU-7-F".

DDC114YU-7

La description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363

Fabricant: Diodes Incorporated

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