DDTC123JLP-7

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Spécifications

Modèle de produit

DDTC123JLP-7
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DDTC123JLP-7.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA
Transistor Type

NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur

3-DFN1006 (1.0x0.6)
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

47 kOhms
Résistance - Base (R1)

2.2 kOhms
Puissance - Max

250mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

3-XFDFN
Autres noms

DDTC123JLPDITR
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

180 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA
Numéro de pièce de base

DDTC123

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Ce qui suit est des produits liés à "DDTC123JLP-7".

DDTC123EKA-7-F

La description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3

Fabricant: Diodes Incorporated

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