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DDTD113EC-7-F

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Spécifications

Modèle de produit

DDTD113EC-7-F
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DDTD113EC-7-F.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type

NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur

SOT-23-3
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

1 kOhms
Résistance - Base (R1)

1 kOhms
Puissance - Max

200mW
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

DDTD113EC-7-FDICT
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

200MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

33 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

500mA

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Ce qui suit est des produits liés à "DDTD113EC-7-F".

DDTC144WUA-7

La description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

Fabricant: Diodes Incorporated

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