Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > DMG4N60SJ3
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
4640702

DMG4N60SJ3

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
75+
$0.692
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    DMG4N60SJ3
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET NCH 600V 3A TO251
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMG4N60SJ3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-251
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.5 Ohm @ 2A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    41W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    30 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    532pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    14.3nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    600V
  • Description détaillée
    N-Channel 600V 3A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    3A (Tc)

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "DMG4N60SJ3".
DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13

La description: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG4710SSS-13

DMG4710SSS-13

La description: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG4800LFG-7

DMG4800LFG-7

La description: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG4N60SK3-13

DMG4N60SK3-13

La description: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG563H50R

DMG563H50R

La description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Fabricant: Panasonic
En stock
RFQ
DMG504010R

DMG504010R

La description: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6

Fabricant: Panasonic
En stock
RFQ
DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13

La description: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13

La description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG563020R

DMG563020R

La description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Fabricant: Panasonic
En stock
RFQ
DMG563H10R

DMG563H10R

La description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Fabricant: Panasonic
En stock
RFQ
DMG4N60SCT

DMG4N60SCT

La description: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG4712SSS-13

DMG4712SSS-13

La description: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG564010R

DMG564010R

La description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Fabricant: Panasonic
En stock
RFQ
DMG4932LSD-13

DMG4932LSD-13

La description: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13

La description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13

La description: MOSFET N-CH 30V 10A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG4N65CT

DMG4N65CT

La description: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG563010R

DMG563010R

La description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Fabricant: Panasonic
En stock
RFQ
DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

La description: MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG563H40R

DMG563H40R

La description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Fabricant: Panasonic
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.