DMN2250UFB-7B

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Spécifications

Modèle de produit

DMN2250UFB-7B
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DMN2250UFB-7B.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

3-DFN1006 (1.0x0.6)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

170 mOhm @ 1A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

500mW (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

3-UFDFN
Autres noms

DMN2250UFB-7BDITR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

94pF @ 16V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

3.1nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

N-Channel 20V 1.35A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1.35A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "DMN2250UFB-7B".

DMN2114SN-7

La description: MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3

Fabricant: Diodes Incorporated

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