Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > DMN3051LDM-7
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
1226395DMN3051LDM-7 imageDiodes Incorporated

DMN3051LDM-7

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
3000+
$0.16
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    DMN3051LDM-7
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 30V 4A SOT26
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMN3051LDM-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    SOT-26
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    38 mOhm @ 6A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    900mW (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SOT-23-6
  • Autres noms
    DMN3051LDM-7DI
    DMN3051LDM-7DI-ND
    DMN3051LDM-7DITR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    20 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    424pF @ 5V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    8.6nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-26
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    4A (Ta)

AMD lance la construction de la deuxième phase du Bangalor...

2024/11/26

La carte graphique NVIDIA RTX 5090 a une zone GPU de 744 mm...

2024/11/25

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "DMN3051LDM-7".
DMN3052LSS-13

DMN3052LSS-13

La description: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3053L-13

DMN3053L-13

La description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3051L-7

DMN3051L-7

La description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3067LW-13

DMN3067LW-13

La description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3035LWN-7

DMN3035LWN-7

La description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3065LW-13

DMN3065LW-13

La description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT323

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3042LFDF-13

DMN3042LFDF-13

La description: MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3042LFDF-7

DMN3042LFDF-7

La description: MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3033LSNQ-7

DMN3033LSNQ-7

La description: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3055LFDB-7

DMN3055LFDB-7

La description: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3065LW-7

DMN3065LW-7

La description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3042L-7

DMN3042L-7

La description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3055LFDB-13

DMN3055LFDB-13

La description: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3033LSNQ-13

DMN3033LSNQ-13

La description: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3050S-7

DMN3050S-7

La description: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3035LWN-13

DMN3035LWN-13

La description: MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3067LW-7

DMN3067LW-7

La description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3053L-7

DMN3053L-7

La description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3052L-7

DMN3052L-7

La description: MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3042L-13

DMN3042L-13

La description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.