Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > DMN4010LFG-7
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
2259899DMN4010LFG-7 imageDiodes Incorporated

DMN4010LFG-7

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1+
$0.80
10+
$0.676
100+
$0.507
500+
$0.372
1000+
$0.287
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    DMN4010LFG-7
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMN4010LFG-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PowerDI3333-8
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 14A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    930mW (Ta)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    8-PowerWDFN
  • Autres noms
    DMN4010LFG-7DICT
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    32 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1810pF @ 20V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    37nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    40V
  • Description détaillée
    N-Channel 40V 11.5A (Ta) 930mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    11.5A (Ta)
  • Numéro de pièce de base
    DMN4010

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

La Corée du Sud prévoit de promulguer la loi sur la puce ...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "DMN4010LFG-7".
DMN3730UFB-7

DMN3730UFB-7

La description: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN4026SSDQ-13

DMN4026SSDQ-13

La description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3404L-7

DMN3404L-7

La description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN4030LK3-13

DMN4030LK3-13

La description: MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN4010LFG-13

DMN4010LFG-13

La description: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3900UFA-7B

DMN3900UFA-7B

La description: MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN33D8LT-7

DMN33D8LT-7

La description: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN4027SSD-13

DMN4027SSD-13

La description: MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN4026SK3-13

DMN4026SK3-13

La description: MOSFET N-CH 40V 28A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN4020LFDE-13

DMN4020LFDE-13

La description: MOSFET N-CH 40V 8A U-DFN2020-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN4015LK3-13

DMN4015LK3-13

La description: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN4009LK3-13

DMN4009LK3-13

La description: MOSFET N-CH 40V 18A DPAK

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7

La description: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN4027SSS-13

DMN4027SSS-13

La description: MOSFET N-CH 40V 6A 8SO

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN3730U-7

DMN3730U-7

La description: MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN4020LFDE-7

DMN4020LFDE-7

La description: MOSFET N-CH 40V 6-UDFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN4026SSD-13

DMN4026SSD-13

La description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN4025LSD-13

DMN4025LSD-13

La description: MOSFET N-CH 40V 8-SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN4008LFG-7

DMN4008LFG-7

La description: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN4008LFG-13

DMN4008LFG-13

La description: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.